SAMSUNG เปิดตัว SoC ชิปใหม่แรงระดับเรือธงผ่านเทคโนโลยีการผลิต 3 นาโนเมตร แบบ GAA กับ Exynos 2500 แบบ 10 Core ที่ถูกแบ่งการทำงานออกเป็น 1 แกน สำหรับประสิทธิภาพสูงสุด + 5 แกน สำหรับการใช้งานพื้นฐาน + 2 แกน สำหรับประหยัดพลังงาน ผ่าน Arm Cortex®-X5 3.3 GHz, Cortex®-A725 x2 2.74 GHz, Cortex®-A725 x5 2.36 GHz และ Cortex®-A520 x2 1.8 GHz พร้อมแรมภายในที่รองรับแบบ LPDDR5X และเนื้อที่ภายในแบบ UFS 4.0 มอบประสิทธิภาพที่สูงจากเดิม 15% เมื่อเทียบกับ Exynos 2400